杭州

HYG028N10NS1W 场效应管(MOSFET) HYG028N10NS1W TO-247A-3L

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MPT028N10 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:180A TO-2

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HYG028N10NS1B6 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:230A

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HYG028N10NS1B 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:230A

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APG028N10 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:210A TO-2

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MPT028N10 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:180A TO-2

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APG028N10 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:210A TO-2

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HYG028N10NS1B6 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:230A

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HYG028N10NS1P 场效应管(MOSFET) 1个N沟道 耐压:100V 电流:230A

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ISC026N03L5SATMA1 | ISC027N10NM6ATMA1 | ISC028N04NM5ATMA1

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BSC027N06LS5ATMA1 | BSC027N10NS5ATMA1 | BSC028N06LS3GATMA1

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HYG011N04LS1B6/HYG023N04LQ1P/HYG028N10NS1B6

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XC6118N20AMR-G/XC6118N10AGR-G/XC6116E028MR-G

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NCEP026N10D NCEP026N10T NCEP028N85

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XC6116E028MR-G/XC6118N10AGR-G/XC6118N20AMR-G

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NCEP028N85/NCEP033N10D/NCEP050N12D

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HYG028N10NS1W/HYG028N10NS1P/HYG020N04NA1P

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